一种黑磷场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种黑磷场效应晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有开口图案；在所述开口中形成黑磷薄片；执行加热处理，以使所述黑磷薄片转化为覆盖所述开口底部的红磷层；将所述红磷层转化为覆盖所述开口底部的黑磷层；移除所述掩膜层。根据本发明提出的黑磷场效应晶体管的制造方法，可改善黑磷场效应晶体管的性能。