一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域；本发明在蓝宝石衬底上外延二维非故意掺杂和n型GaN薄膜，再制备Ni/SiO₂六角形掩膜版，在掩模板上外延生长高质量的Nano p‑i‑n结构，形成一种新型Nano p‑i‑n二极管；将Nano p‑i‑n结构和PDMS/石墨烯转移电极技术相结合，制备出高灵敏度和高选择性气体传感器；本发明采用的GaN基器件对温度相对不敏感，器件性能较为稳定，具有良好的生物相容性和环境友好性，检测过程简单易操作、结果重复性高、设备维护费用低。