铜铟镓硒或铜铟镓硫或铜铟镓硒硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法

摘要

本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法，是在钠钙玻璃Mo衬底上，先用真空磁控溅射法制备CuInGa的金属预制层，再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化处理。本发明的特点是真空磁控溅射法采用的靶材为CuIn合金靶和CuGa合金靶，或采用CuInGa合金靶；硒化反应或硫化反应在真空中进行，先将硒源或硫源均匀升温，在金属预制层表面蒸发上一层硒或硫，再通过卤钨灯照射加热金属预制层，发生硒化或硫化反应，最终得到铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层。本发明在硒源或硫源预蒸发完成后不必保持充足的硒或硫气氛，设备简单，能源消耗小，适用于工业化生产。