公开/公告号CN108021676B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-08
原文格式PDF
申请/专利号CN201711284603.9
申请日2017-12-07
分类号G06F16/215(20190101);G06K9/62(20060101);
代理机构42113 武汉楚天专利事务所;
代理人胡盛登
地址 100031 北京市西城区西长安街86号
入库时间 2022-08-23 11:28:16
机译: 一种生产高度集成的互补式MOSFET缺陷晶体管电路的方法。
机译: 一种生产高度集成的互补式MOSFET缺陷晶体管电路的方法。
机译: 一种用于集成电路的带有嵌入式隔离层的半导体基板的制造方法