首页> 中国专利> 形成含钴膜的组合物、其合成、以及在膜沉积中的用途

形成含钴膜的组合物、其合成、以及在膜沉积中的用途

页面导航

摘要

披露了形成含钴膜的组合物、其制备、以及其用于气相沉积膜的用途。这些形成含钴膜的组合物包含含甲硅烷基酰胺的前体，特别是Co[N(SiMe₃)₂]₂(NMe₂Et)和/或Co[N(SiMe₃)₂]₂(NMeEt₂)。

公开/公告号CN108431295B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-08

原文格式PDF
申请/专利权人乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201680074877.2
发明设计人伽蒂诺谕子;木村美喜子;克里斯汀·杜斯拉特;让-马克·吉拉尔;尼古拉斯·布拉斯科;
展开▼

申请日2016-12-12
分类号C23C16/18(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/42(20060101);C23C16/455(20060101);C07F9/00(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人张蓉珺;林柏楠
地址法国巴黎
入库时间 2022-08-23 11:28:11

1. 形成含钴膜的组合物、其合成、以及在膜沉积中的用途 [P] . 中国专利： CN108431295B . 2021.01.08
2. 形成含锰膜的组合物、其合成、以及在膜沉积中的用途 [P] . 中国专利： CN108474113A . 2018-08-31
3. Cobalt-containing compounds, their synthesis, and use in cobalt-containing film deposition [P] . 美国专利： US10309010B2 . 2019-06-04

机译：含钴化合物，它们的合成以及在含钴膜沉积中的用途
4. Cobalt-containing compound, its synthesis and its use in the deposition of cobalt-containing films [P] . 日本专利： JP6317370B2 . 2018-04-25

机译：含钴化合物，其合成及其在含钴膜沉积中的用途
5. COBALT-CONTAINING COMPOUNDS, SYNTHESIS THEREOF, AND USE THEREOF IN DEPOSITION OF COBALT-CONTAINING FILMS [P] . 日本专利： JP2018118989A . 2018-08-02

机译：含钴化合物，其合成方法及其在沉积含钴膜中的用途