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选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法

摘要

本发明涉及选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法,该选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构,包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元,每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极、光敏层和上电极构成,不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定,所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔,同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。本发明解决现有技术中的探测器结构无法同时实现可见光‑近红外多波段吸收增强探测的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN109887943B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安工业大学;

    申请/专利号CN201910162591.5

  • 申请日2019-03-05

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构61114 西安新思维专利商标事务所有限公司;

  • 代理人黄秦芳

  • 地址 710032 陕西省西安市未央区学府中路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:28:01

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