一种调制薄膜激光感生电压的方法

摘要

本发明公开一种调制薄膜激光感生电压的方法，属于功能薄膜材料领域。选取c轴倾斜的单晶压电材料（如SiO₂、单晶Si或ZnS等）作为衬底，在单晶压电衬底上生长具有激光感生电压效应的外延薄膜（如在SiO₂倾斜衬底上生长ZnO、CuAlO₂或CuCr_1‑xMg_xO₂薄膜、在单晶Si倾斜衬底上生长YBa₂Cu₃O_7‑x、ZnO或AlN薄膜，在ZnS倾斜衬底上生长HfO₂薄膜），在压电衬底两端施加外电压使衬底产生微量形变，从而使得生长在其上的薄膜Seebeck系数各向异性得到改变，因此可以灵活调制薄膜的激光感生电压。