公开/公告号CN107644834B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201710595439.7
申请日2017-07-20
分类号H01L21/768(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 11:26:54
机译: 光刻图案形成精细间距特征
机译: 光刻图案化以形成精细间距特征
机译: 微光刻设备,微光刻辅助特征,用于形成接触和其他结构的系统以及确定掩模图案的方法