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一种碳化硅涂层熔盐堆热中子散射效应的计算方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅涂层熔盐堆热中子散射效应的计算方法,包括:基于液态熔盐、固态石墨、固态碳化硅的热中子散射率,开展核数据加工,获得其热中子散射截面库;调用液态熔盐、固态石墨、固态碳化硅的热中子散射截面库,采用蒙特卡罗中子输运方法开展熔盐堆的组件均匀化,获得堆芯内部及反射层附近典型组件的均匀化群参数;调用熔盐堆典型组件的少群均匀参数,基于中子输运模型或中子扩散时空动力学模型,对于液体燃料碳化硅涂层熔盐堆,还需考虑液态熔盐流动影响,计算出熔盐堆的热中子散射效应对熔盐堆关键中子学参数的影响。所述方法克服了传统的确定论方法难以完全适用熔盐堆复杂几何的缺陷,且获得的熔盐堆组件均匀化参数也更为精确。

著录项

  • 公开/公告号CN109741793B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201811487893.1

  • 发明设计人 李志峰;蔡杰进;

    申请日2018-12-06

  • 分类号G16C10/00(20190101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人裴磊磊

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 11:26:07

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