直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片的制备方法，所述方法使用四控温区水平管式炉，所述方法包括以下步骤：1)第一控温区放置硫，第二控温区放置碘化亚锡作为反应源，然后在第四控温区放置衬底；2)对所述四控温区水平管式炉抽真空至0.1Pa以下，通入惰性气体作为保护气和载气；3)分别对第二、三、四控温区加热；4)将第一控温区加热至90℃‑200℃，并保温1‑3小时；5)将水平管式炉降温至室温，从第四控温区中取出衬底，得到直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片。本发明提供的方法为一步化学气相沉积法，该方法操作简单，制备过程中加入过量硫，从而不需要进行进一步的硫化退火处理，即可得到高质量、大面积的二硫化锡单晶纳米片。