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公开/公告号CN109727850B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201811564257.4
发明设计人 吕越;黄浩;贾棋;游天桂;伍文涛;欧欣;高波;王镇;
申请日2018-12-20
分类号H01L21/265(20060101);H01L21/67(20060101);
代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人宋缨
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 11:24:46
机译: 利用离子注入多晶掺杂源在半导体主体中产生一种导电类型的掺杂区的方法
机译: 一种在使用等离子掺杂(plad)的离子注入方法中获得均匀剂量的设备
机译: 卤素掺杂源,其在原子层沉积中可以用卤素掺杂氧化物膜的一部分,通过制造掺杂源的卤素方法,并通过利用卤素源原子层沉积卤素掺杂的氧化物膜部分,氧化物薄膜用掺杂卤素的方法和工艺形成
机译:通过N +离子注入方法改性TiO2复合薄膜的亲水性,抗菌和光催化性能和CNTs的掺杂方法
机译:临时均匀性,如东京大学,一种薄的有机半导体晶体薄膜晶片,具有简单的印刷方法,通过简单的印刷方法实现实际水平的均匀性和可靠性。
机译:沉积条件对掺杂Sm2O3的CeO2薄膜的电学和力学性能的影响,采用物理沉积方法,利用电子束和电子束通过蒸气的物理沉积方法制备。薄膜法与基质法的比较研究
机译:被离子注入引起的辐射缺陷作为掺杂半导体型A / SUP IV / B / SUP IV /薄膜的有希望的方法
机译:一种简便的无一步模板无模板的方法,用于合成非掺杂和铁掺杂的隐mel烷型氧化锰K-OMS-2的均匀空心微结构。
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