一种SF₆气体在突出物电极结构下临界击穿场强计算方法

摘要

本发明公开了一种SF₆气体临界击穿场强计算方法，适用于突出物电极间的电场，包括：采用预设的公式，计算突出物尖端首电子产生阶段的临界电场强度；根据SF₆气体有效电离系数和电极突出物电场强度，计算得到流注初始阶段的临界电场强度；采用预设的阶段先导发展模型，计算最小临界击穿场强及最大临界击穿场强，作为先导发展至击穿阶段的临界电场强度；根据所述首电子产生阶段的临界电场强度、流注初始阶段临界电场强度以及先导发展至击穿阶段的临界电场强度相叠加，确定SF₆气体综合临界击穿电场强度，能有效解决现有技术中对不同突出物电极结构下SF₆气体放电击穿特性研究的问题。