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一种低功耗高摆率的比较器

摘要

一种低功耗高摆率的比较器,比较器第一级中第一PMOS管的栅极连接偏置电压,源极连接电源电压,漏极连接第二PMOS管和第三PMOS管的源极;第二PMOS管和第三PMOS管的栅极分别作为比较器的负向输入端和正向输入端,漏极分别连接第一NMOS管和第二NMOS管的漏极;第一电阻和第二电阻串联并接在第二PMOS管和第三PMOS管的漏极之间,串联点连接第一NMOS管和第二NMOS管的栅极;第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地;比较器第二级中第三NMOS管和第四NMOS管的栅极分别连接第二PMOS管和第三PMOS管的漏极,源极均接地;第四PMOS管栅漏短接并连接第五PMOS管的栅极和第三NMOS管的漏极,源极连接第五PMOS管的源极连接电源电压;第四NMOS管的漏极连接第五PMOS管的漏极并输出比较信号。本发明具有低功耗和高摆率的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN110445482B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201910720839.5

  • 申请日2019-08-06

  • 分类号H03K5/24(20060101);

  • 代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人葛启函

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 11:23:19

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