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公开/公告号CN109904237B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-27
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201910203095.X
发明设计人 周锌;张凌芳;李治璇;王睿迪;乔明;张波;李肇基;
申请日2019-03-18
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人敖欢;葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:23:18
机译: 形成具有浅沟槽绝缘体的高压SOI横向双扩散MOSFET的半导体器件和方法
机译: 具有半导体连接场的耐高压横向MOSFET SOI器件
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机译:横向高压SOI器件背栅效应的分析和优化
机译:在SOI上使用新设计的600 V横向p通道双作用器件的0.8 / splμm/ m高压IC
机译:在SOI上使用新设计的600V横向P通道双作用器件的0.8μm高压IC
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