公开/公告号CN108831756B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 桂林电子科技大学;
申请/专利号CN201810707466.3
申请日2018-07-02
分类号H01G11/24(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/46(20130101);H01G11/38(20130101);H01G11/86(20130101);
代理机构45112 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司;
代理人周雯
地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
入库时间 2022-08-23 11:22:39
机译: 掺锌钴电池用含钴团簇的N掺杂和含缺陷的多孔碳通道材料及其制备方法
机译: 使用从钛,锆,HA,钴,钴,镍,锌和/或镧系元素中选择的至少一种掺杂金属的催化剂将烃类转化为芳族化合物的过程
机译: 使用包含至少一种选自钛,锆,HA,钴,钴,镍锌和/或镧系元素的掺杂金属的YST将烃类转化为芳族化合物的方法