公开/公告号CN109338297B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院兰州化学物理研究所;
申请/专利号CN201811244879.9
申请日2018-10-24
分类号C23C14/06(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/35(20060101);F24S70/20(20180101);
代理机构62100 甘肃省知识产权事务中心;
代理人孙惠娜
地址 730000 甘肃省兰州市天水中路18号
入库时间 2022-08-23 11:20:16
机译: 用于制造晶体管和n型oppervlaktedeel的方法,由第一和第二部分的第一束硼化硼与第二部分中的一束硼化硼形成第二半硼化硼的ap型基础,并植入到oppervlaktedeel和其中基极类型为发射极基元的是gewerkwijze,用于制造晶体管,n型基极是由第一束硼化物形成的半geleideriderlichaam ap型基基。
机译: 氧化锆/二硼化锆复合物的制备方法
机译: 氧化锆/二硼化锆复合物的制备方法