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一种金属-氧化物型薄膜热电偶及其制备方法

摘要

本发明公开了一种金属‑氧化物型薄膜热电偶及其制备方法,包括基底以及位于基底上的钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区,其中,钨铼26薄膜区与氧化铟薄膜区相接触,该热电偶具有耐高温及高热电输出能力的特点,且制备方法简单。

著录项

  • 公开/公告号CN111076836B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201911288910.3

  • 申请日2019-12-12

  • 分类号G01K7/04(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/35(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人房鑫

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:19:01

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