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在接触孔中形成的配线分层结构,配线分层结构的制作方法,以及具有该配线分层结构的显示装置

摘要

通过使用氢氟酸缓冲液进行蚀刻,在SiO2制成的栅极绝缘薄膜和形成于栅极绝缘薄膜上的由SiN制成的层间绝缘薄膜中形成接触孔。在该接触孔中,形成一电极包括:由耐熔性金属制成的第一保护金属层;形成于第一保护金属层上且由电阻低于耐熔性金属的电阻的金属制成的配线层;以及由耐熔性金属制成的且厚度大于栅极绝缘薄膜厚度的第二保护金属层。

著录项

  • 公开/公告号CN100405610C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三洋电机株式会社;

    申请/专利号CN03104380.1

  • 发明设计人 長谷川勲;鈴木浩司;

    申请日2003-02-10

  • 分类号H01L27/15(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人张政权

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/15 授权公告日:20080723 终止日期:20150210 申请日:20030210

    专利权的终止

  • 2008-07-23

    授权

    授权

  • 2004-03-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-09-17

    公开

    公开

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