具有更均匀注入和更低光学损耗的改进的P接触

摘要

通过在毗邻保护片(150)的区域(310)中故意抑制电流流动通过p层(130)来调适跨过半导体器件的p层(130)的电流分布，而不减小器件的任何部分的光学反射率。通过增大沿着接触区域的边缘以及在拐角耦合到p接触(140)的p层的电阻，可以抑制此电流流动。在示例实施例中，在p接触(130)形成之后，通过浅剂量的氢离子(H+)注入产生高电阻区域(130)。类似地，可以在p接触和p层之间的选定区域中应用电阻性涂层。