公开/公告号CN111378666B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-23
原文格式PDF
申请/专利权人 徐州医科大学;
申请/专利号CN202010259258.9
申请日2020-04-03
分类号C12N15/113(20100101);C12N15/867(20060101);A61K31/713(20060101);A61P35/00(20060101);A61P35/04(20060101);
代理机构32218 南京天华专利代理有限责任公司;
代理人傅婷婷
地址 221004 江苏省徐州市铜山路209号
入库时间 2022-08-23 11:18:19
机译: 一种在非III-V材料基质上生长III-V材料的方法,该步骤可改善适用于半导体制造和半导体应用的最终材料结构的位移断层密度
机译: 一种在非III-V材料基质上生长III-V材料的方法,该步骤可改善适用于半导体制造和半导体应用的最终材料结构的位移断层密度
机译: FVIII:C / FVIII:Ag VIII一种具有改进的FVIII:C / FVIII:Ag比例的因子VIII的制造方法