一种基于CMOS工艺平台的氧化物忆阻器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于CMOS工艺平台的氧化物忆阻器及其制备方法，在不影响CMOS电路性能和可靠性的前提下，通过专门设计的工艺流程在片上集成性能良好、稳定的忆阻器，解决了忆阻器阵列与传统CMOS电路集成的问题，并可有效解决置位过冲电压和泄露电流的问题。通过本发明的方法可以利用忆阻器的高集成度、低功耗等特性来制作阻变存储芯片，更进一步可利用忆阻器的缓变特性等来实现AI芯片的制作，对未来阻变存储器芯片和基于阻变存储器的AI芯片研究都有着重要的意义。