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一种薄膜制备工艺以及涉及该工艺的气体传感器制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜制备工艺以及涉及该工艺的气体传感器制备方法,涉及传感器制备技术领域。本发明采用的薄膜制备工艺,集旋涂‑喷涂工艺于一体,将传统的旋涂工艺和喷涂工艺相结合后同时具有旋涂工艺成膜均匀和喷涂工艺调控形貌等优点,在形貌调控的同时保证了薄膜的均一性,雾化的溶液液滴一接触基板立即被旋涂,解决了溶液法薄膜制备过程中上层溶剂对下层薄膜的侵蚀,形成均匀性更好的薄膜,同时无数液滴的独立旋涂使得有机半导体层产生更多的晶界,有效增强了待测气体与有机半导体的相互作用,实现器件对待测气体的高灵敏度探测,同时更多的晶界利于气体的扩散,提高了器件的回复特性。

著录项

  • 公开/公告号CN109411606B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201811166608.6

  • 发明设计人 于军胜;侯思辉;庄昕明;王啸林;

    申请日2018-10-08

  • 分类号H01L51/40(20060101);H01L51/05(20060101);G01N27/414(20060101);

  • 代理机构51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司;

  • 代理人蒋秀清;李春芳

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 11:16:22

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