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GSG轨道型射频电极、硅基行波电极光调制器及制备方法

摘要

本发明公开了一种GSG轨道型射频电极、硅基行波电极光调制器及制备方法,涉及高速电光芯片领域。该GSG轨道型射频电极包括GSG型平面电极,GSG型平面电极的单侧或双侧周期性地添加用于延迟电场的轨道电极,轨道电极连接到GSG型平面电极的地电极上。硅基行波电极光调制器包括GSG轨道型射频电极和传统的硅基行波电极光调制器,GSG轨道型射频电极通过电极层间的通孔与硅基行波电极光调制器的有源区连接导通。本发明能够提高电极的参数设计自由度,实现有效的信号参数匹配。

著录项

  • 公开/公告号CN106646931B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉邮电科学研究院;

    申请/专利号CN201611195833.3

  • 申请日2016-12-21

  • 分类号G02F1/025(20060101);

  • 代理机构11221 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙);

  • 代理人王卫东

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

  • 入库时间 2022-08-23 11:16:08

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