使用两个多晶硅沉积步骤来形成三栅极非易失性闪存单元对的方法

摘要

本发明提供了一种用于使用两次多晶硅沉积形成非易失性存储器单元对的简化方法。在第一多晶硅沉积工艺中，在半导体衬底上形成第一多晶硅层，并将所述第一多晶硅层与所述半导体衬底绝缘。在所述第一多晶硅层上形成一对间隔开的绝缘块。将所述第一多晶硅层的暴露部分移除，同时保持所述第一多晶硅层的各自被设置在所述一对绝缘块中的一个绝缘块下方的一对多晶硅块。在第二多晶硅沉积工艺中，在所述衬底和所述一对绝缘块上方形成第二多晶硅层。在保持第一多晶硅块(设置在所述第一对绝缘块之间)、第二多晶硅块(设置成与一个绝缘块的外侧相邻)和第三多晶硅块(设置成与另一绝缘块的外侧相邻)的同时，将所述第二多晶硅层的部分移除。