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基于FPGA的PSRAM存储器初始化方法、装置、设备及介质

摘要

本发明公开了一种基于FPGA的PSRAM存储器初始化方法,包括:在对PSRAM存储器执行读校准时,通过FPGA模块向所述PSRAM存储器写入待校验数据;获取FPGA模块中输入输出延时可调电路的延时参数集;遍历所述延时参数集中的每一个延时参数,按照所述延时参数执行延时操作,然后读取所述PSRAM存储器中的待校验数据,若所读取的待校验数据与所写入的待校验数据相同时,将所述延时参数标记为候选值;从标记为候选值的所述延时参数中选择最优延时参数,写入所述FPGA模块中的输入输出延时可调电路。本发明解决了现有PSRAM存储器的相位偏差时间大、工作状态不稳定的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111009271B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东高云半导体科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201911125973.7

  • 申请日2019-11-18

  • 分类号G11C11/406(20060101);G11C11/4076(20060101);

  • 代理机构44325 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙);

  • 代理人詹建新

  • 地址 510000 广东省广州市黄埔区科学大道243号1001房

  • 入库时间 2022-08-23 11:15:33

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