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公开/公告号CN106935256B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 索尼公司;
申请/专利号CN201611001813.8
发明设计人 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行;
申请日2012-11-19
分类号G11C11/16(20060101);H01F10/32(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人田喜庆;吴孟秋
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 11:14:44
机译: 磁阻效应型磁头,磁阻效应型磁头的检查装置以及安装有磁阻效应型磁头的磁存储装置
机译: 磁阻效应型元件以及使用该磁阻效应型元件的磁存储元件和磁头
机译: 磁阻效应型元件以及磁存储元件和使用该磁阻效应型元件的磁头
机译:自旋转移力矩磁随机存取存储器中的自旋电子处理单元
机译:在磁随机存取存储器(MRAM)架构中用半导体组件实现磁阻元件的技术评估
机译:基于两晶体管双磁隧道结单元的嵌入式自旋转移转矩磁阻随机存取存储器的氧化物隧道势垒击穿的长期可靠的物理不可克隆函数
机译:基于自旋转移力矩的磁阻随机存取存储器的热稳定性评估,用于高级技术节点中的缓存
机译:拨动模式磁阻随机存取存储器的磁性存储元件的切换。
机译:热辅助自旋转移力矩磁性随机存取存储器的自热分析
机译:热辅助自旋转移力矩磁随机存取存储器的自热分析
机译:热辅助磁随机存取存储器中的自旋注入