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自旋力矩磁随机存取存储器元件与磁阻效应型磁头

摘要

本发明涉及自旋力矩磁随机存取存储器元件与磁阻效应型磁头。该自旋力矩磁随机存取存储器元件,包括:磁化固定层,该磁化固定层的固定磁化在相对于该磁化固定层的膜表面的垂直方向上;磁化自由层,包括与形成在在每对相邻的铁磁层之间的耦合层层压在一起的多个铁磁层,从而磁耦合该铁磁层;以及非磁性层,该非磁性层是隧道绝缘层并且形成在该磁化固定层与该磁化自由层之间。

著录项

  • 公开/公告号CN106935256B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 索尼公司;

    申请/专利号CN201611001813.8

  • 申请日2012-11-19

  • 分类号G11C11/16(20060101);H01F10/32(20060101);

  • 代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人田喜庆;吴孟秋

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 11:14:44

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