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二次电子探测器、带电粒子光学成像设备及探测方法

摘要

本申请揭示了一种二次电子探测器、包含该二次电子探测器的带电粒子光学成像设备及探测方法。二次电子探测器,自二次电子探测器所形成的探测区对称中心径向向外形成至少三个相互隔离的圆环探测区,以通过所述圆环探测区接收自样品表面出射的二次电子。通过本申请所揭示的二次电子探测器及带电粒子光学成像设备,提高了对样品基于对二次电子探测所形成的检测图像表征样品本征形貌的准确度,克服了样品表面颗粒、凸起和边缘等特征处所导致的图形失真的缺陷,并具有不同方位角的二次电子的探测效果。

著录项

  • 公开/公告号CN110133032B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海精测半导体技术有限公司;

    申请/专利号CN201910494648.1

  • 发明设计人 张旭;

    申请日2019-06-10

  • 分类号G01N23/2251(20180101);

  • 代理机构32351 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人储振

  • 地址 201700 上海市青浦区徐泾镇双浜路269、299号1幢1、3层

  • 入库时间 2022-08-23 11:12:47

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