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公开/公告号CN110120324B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN201910285082.1
发明设计人 赵嘉昊;边潍;
申请日2019-04-10
分类号H01H59/00(20060101);
代理机构11372 北京聿宏知识产权代理有限公司;
代理人吴大建;张杰
地址 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
入库时间 2022-08-23 11:12:45
机译: 具有通量路径的MEMS继电器及其形成方法,该MEMS继电器的通量路径与通过开关的电气路径解耦,并且其悬挂结构与芯结构无关。
机译: 用于操作继电器的电路结构具有继电器,该继电器在继电器的电源电路中具有第一控制触点和第二控制触点,并且具有全工作电压以拾取继电器。
机译:开关机控制继电器的触点配置错误导致的电动开关机控制继电器(电磁保持型)
机译:MEM继电器触点可靠性改进的纳米结晶石墨
机译:由Metalmumps工艺制造的推拉双触点MEMS继电器
机译:具有接触力最大化结构的4 W双触点材料MEMS继电器
机译:MEMS继电器的微触点物理。
机译:一种用于高纵横比植入MEMS结构的晶片刻度蚀刻技术
机译:在轧制触点下的白色蚀刻面积形成过程中保持奥氏体接口附近的微观结构变化
机译:一种线性控制设计结构,用于在多喷嘴涡扇发动机的极限运行期间保持回路特性