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一种应用于半导体器件超高速实时表征的信号同步方法

摘要

本发明公开了一种应用于半导体器件超高速实时表征的信号同步方法,该方法利用绝缘层上金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管的特点,得到激励信号与响应信号的时间延迟,获得作为超高速实时表征的系统总延时,对其中一路信号进行时序平移,并再次重复上述步骤,判断系统总延时是否小于设定阈值,如果不满足则重复上述步骤,否则完成激励信号与响应信号时序同步,可以进行超高速实时表征。本发明简单易行、准确可靠地解决了超高速表征中激励信号与响应信号无法准确地时序同步,导致超高速实时表征难以实现的困难;本发明同步精度极高。本发明适用范围广泛,可用于结、电容、晶体管、存储器、阵列单元等各类半导体器件的超高速表征。

著录项

  • 公开/公告号CN109946580B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201910280830.7

  • 发明设计人 赵毅;曲益明;

    申请日2019-04-09

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人刘静;邱启旺

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 11:12:45

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