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一种离子选择性的纳米通道膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种离子选择性的纳米通道膜及其制备方法,所述纳米通道膜包括结合在一起两层膜,一层为嵌段共聚物1膜,另一层为嵌段共聚物2膜;所述纳米通道膜的厚度为亚微米级别,其具有规则的纳米级通道分布和高的孔隙率,通道直径在25纳米以下,并且两层膜有着不同的表面电荷分布。本发明的膜具有超高离子通量,超强离子选择性,该膜有着亚微米级别的厚度,表现出了很好的渗透能量转换性能。

著录项

  • 公开/公告号CN108948387B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京赛特超润界面科技有限公司;

    申请/专利号CN201710378197.6

  • 发明设计人 闻利平;张振;江雷;

    申请日2017-05-24

  • 分类号C08J5/18(20060101);C08L53/00(20060101);

  • 代理机构11472 北京方安思达知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈琳琳;李彪

  • 地址 101320 北京市顺义区林河北大街10号

  • 入库时间 2022-08-23 11:12:32

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