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一种具有本征空位缺陷的NbCoSb基热电材料及其制备方法

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本发明公开了一种具有本征空位缺陷的NbCoSb基热电材料及其制备方法，所述热电材料由非化学计量比的Nb、Co、Sb元素组成，晶体结构中具有本征空位缺陷，是一种生产成本低、Seebeck系数高、功率因子高、热电性能优异的N型Half‑Heusler型材料。

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公开/公告号CN108950350B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-01

原文格式PDF
申请/专利权人西华大学;
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申请/专利号CN201810892516.X
发明设计人黄丽宏;王浚臣;莫小波;张勤勇;任志锋;
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申请日2018-08-07
分类号C22C30/00(20060101);C22C1/04(20060101);H01L35/18(20060101);
代理机构51223 成都华风专利事务所(普通合伙);
代理人苟铭;杜朗宇
地址 610039 四川省成都市金牛区金周路999号
入库时间 2022-08-23 11:12:16

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