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一种控制砷化镓纳米微结构尺寸的方法

摘要

本发明提供了一种控制砷化镓纳米微结构尺寸的方法,利用控制砷化镓纳米微结构尺寸的装置对砷化镓纳米微结构的尺寸进行控制,把砷化镓纳米微结构置于腔体中;利用热氧化法对所述砷化镓纳米微结构的尺寸进行控制。本发明通过加热氧化方法实现砷化镓纳米微结构尺寸的减小,一方面杜绝了引入杂质离子,另一方面避免了离子刻蚀造成的损伤,且兼具成本低廉的优势,具有非常重要的应用价值和经济价值;本方法的刻蚀速率在0.01纳米每分钟至30纳米每分钟之间,可以实现砷化镓纳米微结构尺寸在亚22纳米及以上节点上的精确控制,具有高精度的控制效果。

著录项

  • 公开/公告号CN106783578B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201611242713.4

  • 发明设计人 王盛凯;黄凯亮;刘洪刚;孙兵;

    申请日2016-12-28

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 11:10:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    授权

    授权

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/306 申请日:20161228

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

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