偶极子天线中的具备SiO₂保护层的SPiN二极管的制备方法

摘要

本发明公开一种偶极子天线中的具备SiO2保护层的SPiN二极管的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括：SOI衬底、第一天线臂、第二天线臂和同轴馈线；所述第一天线臂和第二天线臂包括多个具备SiO₂保护层的SPiN二极管串，所述SiO₂保护层的SPiN二极管串由依次首尾相连的SiO₂保护层的SPiN二极管构成，所述具备SiO₂保护层的SPiN二极管的制造方法包括：选取SOI衬底；形成有源区沟槽；对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；光刻引线孔并金属化处理以形成所述具备SiO₂保护层的SPiN二极管；本发明提供的具备SiO₂保护层的SPiN二极管可用于高性能可重构偶极子天线的制备。