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单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法及显示装置

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摘要

正方向的移位动作中，在对晶体管(T1)的第1栅极端子充电时，向晶体管(T2)的第2栅极端子输入电压比第1输入信号(S)的电压高的第2输入信号(VS)，在使晶体管(T1)的第1栅极端子放电时，向晶体管(T3)的第3栅极端子输入电压比第3输入信号(R)的电压高的第4输入信号(VR)，反方向的移位动作中，在对晶体管(T1)的第1栅极端子充电时，向晶体管(T3)的第3栅极端子输入电压比第3输入信号(R)的电压高的第4输入信号(VR)，在使晶体管(T1)的第1栅极端子放电时，向晶体管(T2)的第2栅极端子输入电压比第1输入信号(S)的电压高的第2输入信号(VS)。

著录项

  • 公开/公告号CN107112051B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普株式会社;

    申请/专利号CN201580058776.1

  • 发明设计人 山本薰;小川康行;

    申请日2015-10-23

  • 分类号G11C19/00(20060101);G09G3/20(20060101);G09G3/36(20060101);G11C19/28(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人张鑫

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 11:07:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-04

    授权

    授权

  • 2017-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C19/00 申请日:20151023

    实质审查的生效

  • 2017-08-29

    公开

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