公开/公告号CN105633165B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-04
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201510845580.9
申请日2015-11-26
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/45(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人张川绪;尹淑梅
地址 韩国京畿道水原市
入库时间 2022-08-23 11:07:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-04
授权
授权
2017-12-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20151126
实质审查的生效
2016-06-01
公开
公开
机译: 方法包括:形成包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构以及包括包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构的器件
机译: 器件接触结构包括用于降低接触电阻的异质结
机译: 器件接触结构,包括用于低接触电阻的异质结