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R-T-B系烧结磁体的制造方法和R-T-B系烧结磁体

摘要

一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,包括:准备R-T-B系烧结磁体(100)的工序;在使RLM合金(RL为Nd和/或Pr,M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni中的1种以上)的粉末和RH氟化物(RH为Dy和/或Tb)的粉末存在于R-T-B系烧结磁体(100)的表面(120)的状态下,在R-T-B系烧结磁体(100)的烧结温度以下进行热处理的工序;将热处理后的R-T-B系烧结磁体的表面(120)在深度方向磨削400μm以下的工序。RLM合金含有50原子%以上的RL,并且RLM合金的熔点为上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH氟化物的粉末以RLM合金﹕RH氟化物=96﹕4~50﹕50的质量比率存在于R-T-B系烧结磁体的表面的状态下进行。

著录项

  • 公开/公告号CN108140481B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日立金属株式会社;

    申请/专利号CN201680061177.X

  • 发明设计人 三野修嗣;

    申请日2016-10-03

  • 分类号H01F41/02(20060101);B22F3/00(20060101);B22F3/24(20060101);C22C9/00(20060101);C22C28/00(20060101);C22C38/00(20060101);H01F1/057(20060101);

  • 代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 11:06:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-28

    授权

    授权

  • 2018-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F41/02 申请日:20161003

    实质审查的生效

  • 2018-06-08

    公开

    公开

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