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一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法

摘要

本发明涉及一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体、数据存储介质和探针;所述基体为导电基体;所述数据存储介质为自旋态可变分子层,自旋态可变分子层规则排列在导电基体表面;所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据;所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态,所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态。本发明实现了信息的单分子写入,相邻分子可进行无干扰的自旋态调控,实现了信息的稳定存储,存储密度高达7*10

著录项

  • 公开/公告号CN108766488B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810314077.4

  • 发明设计人 李娜;张雪;侯士敏;王永锋;

    申请日2018-04-10

  • 分类号

  • 代理机构北京辰权知识产权代理有限公司;

  • 代理人佟林松

  • 地址 300452 天津市滨海新区中心商务区于家堡金融区双创大厦25层

  • 入库时间 2022-08-23 11:06:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-24

    授权

    授权

  • 2018-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20180410

    实质审查的生效

  • 2018-11-06

    公开

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