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通过局部电位测量进行的纳米孔感测

摘要

本发明涉及通过局部电位测量进行的纳米孔感测,其中提供了设置在支撑结构中的纳米孔,具有在第一流体储存器与纳米孔入口之间的流体连接和在第二流体储存器与纳米孔出口之间的第二流体连接。第一缓冲浓度的第一离子溶液设置在第一储存器中,不同于第一浓度的第二缓冲浓度的第二离子溶液设置在第二储存器中,纳米孔提供了第一与第二储存器之间的唯一流体连通路径。在纳米孔传感器中的位置上设置有电连接,其在目标物移位通过两个储存器之间的纳米孔时产生表示局部到纳米孔传感器中的至少一个位点的电位的电信号。

著录项

  • 公开/公告号CN108051578B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈佛大学校长及研究员协会;

    申请/专利号CN201810026232.2

  • 发明设计人 C.M.利伯;P.谢;

    申请日2011-04-29

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人马蔚钧

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 11:06:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-24

    授权

    授权

  • 2018-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N33/487 申请日:20110429

    实质审查的生效

  • 2018-05-18

    公开

    公开

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