公开/公告号CN100383897C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-04-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院物理研究所;
申请/专利号CN200410073654.3
申请日2004-09-02
分类号H01F10/32(20060101);H01F41/00(20060101);
代理机构11003 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;
代理人尹振启
地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2022-08-23 09:00:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-11-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01F 10/32 授权公告日:20080423 终止日期:20110902 申请日:20040902
专利权的终止
2008-04-23
授权
授权
2005-05-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-03-02
公开
公开
机译: 铁磁钉扎结构,包括反铁磁耦合到被钉扎层的第一部分和在条带高度方向上相对于第一部分伸长的第二部分
机译: 具有反铁磁钉扎层且两个表面钉扎铁磁偏置层的磁阻传感器
机译: 具有反铁磁钉扎层且两个表面钉扎铁磁偏置层的磁阻传感器