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一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法,该钉扎体系包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一被钉扎的铁磁层以及一作为钉扎材料的反铁磁层和设于其上的保护层。其制备方法是在基片上依次沉积各层并通过真空退火得到该钉扎体系。由本发明方法制备的钉扎体系采用CrPt作为反铁磁钉扎材料,其对铁磁层有比较大的钉扎作用,更为重要的是它极大地提高了体系的热稳定性和抗腐蚀能力,而且反铁磁层和铁磁层之间的原子扩散也大大地减少。该体系制备工艺简单,材料性能稳定。

著录项

  • 公开/公告号CN100383897C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN200410073654.3

  • 发明设计人 代波;蔡建旺;赖武彦;

    申请日2004-09-02

  • 分类号H01F10/32(20060101);H01F41/00(20060101);

  • 代理机构11003 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人尹振启

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01F 10/32 授权公告日:20080423 终止日期:20110902 申请日:20040902

    专利权的终止

  • 2008-04-23

    授权

    授权

  • 2005-05-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-02

    公开

    公开

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