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调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法及装置

摘要

一种调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法及装置,属于高温熔盐中电化学沉积硅领域。该方法以冶金硅为阳极,阴极材料为阴极,以氟硅酸盐和碱金属卤化物的混合物为熔盐电解质,采用其装置实现密封,并从进气口持续通入惰性气体,从出气口排出惰性气体,保持反应器内正压;升温,构建起高温、常压、无水,隔绝空气的环境;采用其装置对熔盐进行搅拌;电极间施加电压电沉积硅;在电沉积硅时,通过搅动熔盐电解质改变硅沉积电化学过程传质,实现调控高温熔盐中电化学沉积硅膜择优取向生长,甚至得到单晶硅沉积物。并提供了实现搅动熔盐并密封的装置,其实现了高温条件下,常压、无水,隔绝空气的熔盐环境中搅动熔盐的功能,成本低、操作简单。

著录项

  • 公开/公告号CN110565107B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东北大学;

    申请/专利号CN201910925658.6

  • 申请日2019-09-27

  • 分类号

  • 代理机构沈阳东大知识产权代理有限公司;

  • 代理人马海芳

  • 地址 110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号

  • 入库时间 2022-08-23 11:05:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-10

    授权

    授权

  • 2020-01-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25B1/00 申请日:20190927

    实质审查的生效

  • 2019-12-13

    公开

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