公开/公告号CN110143824B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中南大学;
申请/专利号CN201910456177.5
申请日2019-05-29
分类号C04B35/80(20060101);C04B35/84(20060101);C04B35/628(20060101);F01D5/02(20060101);F01D5/28(20060101);
代理机构43236 长沙大珂知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人伍志祥
地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
入库时间 2022-08-23 11:05:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-10
授权
授权
2019-09-13
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/80 申请日:20190529
实质审查的生效
2019-08-20
公开
公开
机译: 具有非均质晶格平面的Sic体积单晶和具有非均质晶格平面的单晶Sic基质的生产方法
机译: 具有均质晶格平面的SIC体积单晶和具有均质晶格平面的单晶SIC基板的生产方法
机译: 工程SIC-SIC复合材料和整体式SIC层压板