首页> 中国专利> 一种1530nm到1580nm波段范围内的双槽型大负色散波导

一种1530nm到1580nm波段范围内的双槽型大负色散波导

摘要

本发明提供了一种1530nm到1580nm波段范围内的双槽型大负色散波导,所述大负色散波导以二氧化硅为衬底,在衬底上左右两侧分别分布一个垂直型沟槽波导。其中左侧沟槽波导包括高材料折射率的氮化硅夹板层和低材料折射率的空气槽芯,右侧沟槽波导包括高材料折射率的硅夹板层和低材料折射率的二氧化硅槽芯。本发明利用沟槽波导实现对光波模场强有力地束缚,光波能量能在左右两侧的沟槽波导之间相互转移,实现负极值色散特性,一方面避免使用条形波导存在的模场发散问题,另一方面利用沟槽波导的多几何参数特性,使得色散特性灵活可调,同时使用大负色散波导对光纤通信系统的色散累积量进行补偿,避免了传统色散补偿光纤存在的物理尺寸过大问题。

著录项

  • 公开/公告号CN109188599B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安邮电大学;

    申请/专利号CN201811273441.3

  • 发明设计人 惠战强;杨敏;

    申请日2018-10-30

  • 分类号

  • 代理机构北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人王新生

  • 地址 710121 陕西省西安市长安区西长安街618号

  • 入库时间 2022-08-23 11:05:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-10

    授权

    授权

  • 2019-11-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/02 申请日:20181030

    实质审查的生效

  • 2019-01-11

    公开

    公开

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