首页> 中国专利> 单个纳米颗粒光散射电调控天线及制备、电调控的方法

单个纳米颗粒光散射电调控天线及制备、电调控的方法

摘要

本发明公开一种单个纳米颗粒光散射电调控天线及制备、电调控的方法,利用飞秒液相激光熔蚀单晶硅片制备出了尺寸不同的Si纳米颗粒,再利用无掩模光刻和聚焦离子束刻蚀结合,制备出叉指电极,然后通过Si纳米颗粒的自组装技术,将Si纳米颗粒搭载在两叉指电极中间,形成电调控天线,通过在两叉指电极两端施加电压,便可测得单个Si纳米颗粒光散射的变化。本发明制备方法能够简易快速地制备Si纳米颗粒并实现电调控天线的自组装,所制备的Si纳米颗粒电调控天线具有纳米尺度,集成多个单个Si纳米颗粒,采用该Si纳米颗粒电调控天线能对单个Si纳米颗粒光散射进行精确的调控,该调控方法能够引起光学响应的明显变化,调控幅度更大。

著录项

  • 公开/公告号CN110534880B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 暨南大学;

    申请/专利号CN201910833983.X

  • 发明设计人 严佳豪;李宝军;杨国伟;

    申请日2019-09-04

  • 分类号

  • 代理机构西安知诚思迈知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人麦春明

  • 地址 510632 广东省广州市天河区黄埔大道西601号

  • 入库时间 2022-08-23 11:03:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-26

    授权

    授权

  • 2019-12-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q1/36 申请日:20190904

    实质审查的生效

  • 2019-12-03

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号