反向导通绝缘栅双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种反向导通绝缘栅双极晶体管，该反向导通绝缘栅双极晶体管包括：N型衬底，包括第一面、以及与第一面相背的第二面；第一外延层，设置于所述N型衬底的所述第一面上；第二外延层，设置于所述第一外延层上；P型掺杂区，设置于所述N型衬底的第二面侧内；DMOS器件，连接于所述第二外延层上；金属层，设置于所述N型衬底的第二面。本发明设计了一种反向导通绝缘栅双极晶体管及其制备方法中，通过使N型衬底的掺杂浓度比第一外延层的掺杂浓度低，可以有效降低膝电压，改善snap‑back效应。