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相同集成电路上两种存储器类型的集成

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非易失存储器(NVM)和动态纳米晶体(DNM)集成在一个半导体衬底上。具有嵌入的纳米晶体或分立存储元件的控制栅极和控制电介质形成在隧道电介质的不同厚度上，以形成两个存储器。源和漏区形成在与隧道电介质相邻的半导体衬底内。使用了多种方法通过增加最少的处理步骤形成了薄隧道氧化物和厚隧道氧化物。

著录项

公开/公告号CN100362663C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-01-16

原文格式PDF
申请/专利权人飞思卡尔半导体公司;
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申请/专利号CN02810199.5
发明设计人罗伯特·E·琼斯;布鲁斯·E·怀特;
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申请日2002-05-07
分类号H01L27/115(20060101);H01L21/8247(20060101);H01L21/8239(20060101);H01L27/105(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人谢丽娜;张天舒
地址美国得克萨斯州
入库时间 2022-08-23 09:00:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L27/115 授权公告日:20080116 终止日期:20190507 申请日:20020507

专利权的终止
2018-01-05

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L27/115 变更前: 变更后: 申请日:20020507

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2018-01-05

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/115 变更前: 变更后: 申请日:20020507

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2018-01-05

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/115 变更前: 变更后: 申请日:20020507

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2008-01-16

授权

授权
2008-01-16

授权

授权
2008-01-16

授权

授权
2008-01-16

授权

授权
2005-02-02

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20041231 申请日:20020507

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-02-02

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20041231 申请日:20020507

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-02-02

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20041231 申请日:20020507

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-02-02

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20041231 申请日:20020507

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-02-02

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20041231 申请日:20020507

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-02-02

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20041231 申请日:20020507

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-09-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-09-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-09-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-06-30

公开

公开
2004-06-30

公开

公开
2004-06-30

公开

公开
2004-06-30

公开

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