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一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法

摘要

一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法,属于二硫化钼薄层材料的技术领域。本发明要解决现有水热合成二硫化钼纳米片方法存在大量杂质、二硫化钼层间距较小等技术问题。本发明的方法:一、将钼酸铵粉末和硫脲粉末溶解于去离子水中,磁力搅拌;二、然后滴加氨水调节pH值至9~10,再转移到聚四氟乙烯内衬的反应器中,密封;三、然后置于不锈钢高压釜内,在145℃~185℃条件下反应20h~28h,冷却至室温,得到黑色粉末;四、然后分散于氨水中,离心;五、重复步骤四的操作至少3次;六、然后超声分散在无水乙醇中,再离心;七、重复步骤六的操作至少3次;八、预冻后真空干燥。本发明可作为锂离子电池高性能的负极材料。

著录项

  • 公开/公告号CN108217730B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201810068334.0

  • 发明设计人 张学习;贾政刚;钱明芳;

    申请日2018-01-24

  • 分类号C01G39/06(20060101);H01M4/58(20100101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;

  • 代理人张金珠

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:59:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-26

    授权

    授权

  • 2018-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G39/06 申请日:20180124

    实质审查的生效

  • 2018-06-29

    公开

    公开

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