一种考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法

摘要

本发明公开了一种考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法，通过引入了寄生元件的温度模型，使射频MOS器件模型的拟合更加准确，通过迭代调整寄生元件温度模型的相关参数及本征模型温度的相关参数，可使不同温度下的器件直流数据及射频条件下的关键指标均能与测试数据得到较好拟合,为射频MOS器件在不同温度的应用提供了基础。