一种提升光电传感器用硅外延层掺杂浓度均匀性的方法

摘要

本发明涉及一种提升光电传感器用硅外延层掺杂浓度均匀性的方法。向反应腔体内通入氢气和氯化氢气体；在外延反应基座表面覆盖一层无掺杂的多晶硅；将硅衬底片装入多晶硅上，依次利用氮气和氢气吹扫外延反应腔体；给外延反应基座加热；通入氯化氢气体，对硅衬底片表面进行抛光；利用流量周期性快速交替变化对反应腔体进行吹扫；进行第一层本征外延层的生长；通入氢气对反应腔体进行吹扫；进行第二层本征外延层的生长；利用流量周期性快速交替变化对反应腔体进行吹扫；进行掺杂外延层的生长；外延层生长完成后停止加热，最后取片。有益效果是，片内不均匀性从5.09%的控制能力提高至1.48%的水平，制程能力可满足用户要求。