公开/公告号CN108183174B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-12
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉华美晨曦光电有限责任公司;
申请/专利号CN201711449122.9
申请日2017-12-27
分类号
代理机构武汉东喻专利代理事务所(普通合伙);
代理人方可
地址 430223 湖北省武汉市东湖开发区光谷大道70号
入库时间 2022-08-23 10:58:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-12
授权
授权
2018-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20171227
实质审查的生效
2018-06-19
公开
公开
机译: 具有产生量子阱结构的半导体器件和方法的半导体器件以及量子阱结构
机译: 一种用于提高发光器件的最大调制速度的方法以及具有增大的最大调制速度的发光器件及其多量子阱结构
机译: 具有可变偏振的应变量子阱结构和具有该应变量子阱结构的光学器件