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同时在近远场双通道生成涡旋光场的平面光学器件及其设计和制备

摘要

本发明公开了一种同时在近场和远场双通道生成涡旋光场的平面光学器件及其设计方法和制备方法。该平面光学器件利用金属超构表面材料首次实现了在近场和远场两个通道中同时生成涡旋光场,其中,在近场为聚焦型的表面等离激元涡旋光场,在远场为聚焦的自由空间涡旋光场,并且两通道中所生成的涡旋光场携带的拓扑荷可根据需求灵活搭配。利用本发明方法设计的能生成双通道涡旋光场的平面光学器件对于未来基于涡旋光场的高密度通信和多功能集成光学系统具有重要意义。

著录项

  • 公开/公告号CN110286429B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201910521339.9

  • 发明设计人 方哲宇;蒋瞧;朱星;

    申请日2019-06-17

  • 分类号G02B5/00(20060101);G02B27/00(20060101);

  • 代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司;

  • 代理人李稚婷

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 10:57:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-05

    授权

    授权

  • 2019-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B5/00 申请日:20190617

    实质审查的生效

  • 2019-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 5/00 申请日:20190617

    实质审查的生效

  • 2019-09-27

    公开

    公开

  • 2019-09-27

    公开

    公开

  • 2019-09-27

    公开

    公开

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